FZ NTD Silicon Wafer

Nkọwa

FZ-NTD Silicon Wafer, mara dị ka Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Enwere ike nweta silicon na-enweghị oxygen, ịdị ọcha dị elu na silicon resistivity kacha elu by Mpaghara Float FZ ( Mpaghara-ese n'elu) uto kristal, High resistivity FZ silicon crystal na-ejikarị usoro Neutron Transmutation Doping (NTD) doped, bụ nke neutron irradiation na undoped float zone silicon ka silicon isotopes tọrọ atọ na neutrons wee ree n'ime ndị chọrọ dopants iji nweta doping mgbaru ọsọ.Site n'ịgbanwe ọkwa nke radieshon neutron, enwere ike gbanwee resistivity na-ewebataghị dopants mpụga ya mere na-ekwe nkwa ịdị ọcha ihe.FZ NTD silicon wafers (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) nwere akụrụngwa teknụzụ kachasị elu nke itinye uche doping edo na nkesa radial resistivity, ọkwa adịghị ọcha kacha,na elu pere mpe elu ndụ.

Nnyefe

Dị ka ahịa na-eduga ndị na-ebubata silicon NTD maka ngwa ike na-ekwe nkwa, yana ịgbaso ihe ndị na-eto eto maka wafers ọkwa dị elu, FZ NTD silicon wafer dị elu.na Western Minmetals (SC) Corporation nwere ike ịnye ndị ahịa anyị n'ụwa niile n'ụdị dị iche iche sitere na 2 ", 3", 4", 5" na 6" dayameta (50mm, 75mm, 100mm, 125mm na 150mm) na ọtụtụ ihe mgbochi. 5 ka 2000 ohm.cm na <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> nghazi na-ebipụ, lapped, etched na polished elu imecha na ngwugwu nke ụfụfụ igbe ma ọ bụ cassette , ma ọ bụ dị ka ahaziri nkọwapụta na zuru okè ngwọta.

Ajuju ugbua

Nkọwa

Tags

Nkọwa nka nka

FZ NTD Silicon Wafer

Dị ka onye na-eduga na-ebubata silicon FZ NTD silicon maka ngwa ike na-ekwe nkwa, yana ịgbaso ihe ndị na-eto eto maka wafers dị elu, FZ NTD silicon wafer dị elu na Western Minmetals (SC) Corporation nwere ike ịnye ndị ahịa anyị gburugburu ụwa n'ụdị dị iche iche sitere na 2. "Na 6" na dayameta (50, 75, 100, 125 na 150mm) na dịgasị iche iche nke resistivity 5 ka 2000 ohm-cm na <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> nghazi nke nwere lapped, etched na nke na-egbu maramara n'elu ngwugwu nke igbe ụfụfụ ma ọ bụ cassette, igbe katọn n'èzí ma ọ bụ dị ka nkọwa ahaziri maka ngwọta zuru oke.

Mba.	Ihe	Nkọwa ọkọlọtọ
1	Nha	2"	3"	4"	5"	6"
2	Dayameta	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Omume omume	n-ụdị	n-ụdị	n-ụdị	n-ụdị	n-ụdị
4	Nhazi	<100>, <111>, <110>
5	Ọkpụrụkpụ μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ma ọ bụ dị ka achọrọ
6	Nguzogide Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 ma ọ bụ dị ka achọrọ
7	RRV kacha	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Ụta/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Carrier Lifetime μs	> 200, > 300, > 400 ma ọ bụ dị ka achọrọ
11	Emecha elu elu	Dị ka-ebipụ, Lapped, Achachapụrụ
12	Nkwakọ ngwaahịa	Igbe ụfụfụ n'ime, igbe katọn n'èzí.

Paramita ihe bụ isi

Akara	Si
Nọmba Atọmic	14
Atọmk Ibu	28.09
Otu n'ime ihe	Metalloid
Otu, Oge, Mgbochi	14, 3, P
Ọdịdị kristal	diamond
Agba	Agba ntụ ntụ
Ebe Na-agbaze	1414°C, 1687.15 K
Ebe esi nri	3265°C, 3538.15 K
Njupụta na 300K	2.329 g/cm³
Resistivity dị n'ime	3.2E5 Ω-cm
Nọmba CAS	7440-21-3
Nọmba EC	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferbụ ihe dị oke mkpa maka ngwa dị na ike dị elu, teknụzụ nchọpụta na na ngwaọrụ semiconductor nke ga-arụ ọrụ n'ọnọdụ dị oke egwu ma ọ bụ ebe achọrọ mgbanwe dị ala n'ofe wafer, dị ka thyristor GTO ọnụ ụzọ-atụgharị, static induction thyristor SITH, giant transistor GTR, insulate-gate bipolar transistor IGBT, PIN ọzọ HV diode.FZ NTD n-ụdị silicon wafer bụkwa dị ka isi ihe na-arụ ọrụ maka ndị ntụgharị ugboro dị iche iche, ndị na-emegharị ihe, ihe njikwa ike dị ukwuu, ngwaọrụ eletrọnịkị ọhụrụ, ngwaọrụ fotoelectronic, silicon rectifier SR, silicon control SCR, na ngwa anya dị ka lenses na windo. maka ngwa terahertz.